دراسة الخصائص الإنشائية / التركيبية الدقيقة والكهربائية CdTe: أفلام رقيقة Sb تم ترسيبها بواسطة تبخير الفلاش

الملخص

في هذا البحث درس التركيب والخواص الكهربائية لـ Pure CdTe و

أغشية معدنية رقيقة CdTe مخدرة Sb مع 0.5 ، 1 ، 1.5٪ بالوزن ، على التوالي. هم
ترسب على ركائز زجاجية باستخدام تقنية التبخير الومضي. وجد أن
تحتوي الأفلام المحضرة على هيكل مكعب واتجاه بلوري مفضل قوي.
أظهرت نتائج الفحص المجهري للقوة الذرية (AFM) أن سطح الفيلم مخدر Sb كان
أكثر إحكاما وتوحيدًا وكذلك خشونة الجذر التربيعي المتوسط (RMS)
مع زيادة محتويات Sb. تم فحص الخواص الكهربائية كوظيفة لـ
بالوزن sb.٪ المنشطات. وأظهرت النتائج أن الموصلية الكهربائية (6) في ازدياد
الاتجاه مع زيادة الوزن٪ من dopant ، بينما طاقات التنشيط (E ، i ، E ، 2)
أظهر اتجاهًا معاكسًا ، حيث انخفضت طاقات التنشيط مع الإشابة.
1 المقدمة

تستخدم الأغشية الرقيقة من أشباه الموصلات II-VI على نطاق واسع في العديد من أشباه الموصلات
أجهزة مثل الخلايا الكهروكيميائية الضوئية ، ترانزستورات التأثير الميداني ، كاشفات الأشعة تحت الحمراء ،
الثنائيات الضوئية والموصلات الضوئية والخلايا الشمسية الكهروضوئية [1 ، 2]. لطالما كان CdTe
تم تحديده كمرشح للطبقة الماصة في الألواح الشمسية الكهروضوئية ذات الأغشية الرقيقة منخفضة التكلفة
الخلايا بسبب فجوة الحزمة المباشرة ، ومعامل الامتصاص العالي وإمكانية وجود أ
مجموعة متنوعة من تقنيات التحضير مثل التسامي المتقارب (CSS) [3] ، الفراغ
ترسيب [4] ، ترسيب كهربي [5] ، رشاش RF [6] ، بخار متقارب
النقل [7]. في هذا العمل الحالي ركزنا الانتباه على التقنيات البارزة
لترسب الأغشية الرقيقة للسبائك متعددة المكونات التي تحتوي مكوناتها
ضغوط بخار مختلفة. تم تحضير أغشية رقيقة من CdTe تحت ظروف مناسبة
ظروف النمو عن طريق تقنية التبخر السريع (FE). هذه التقنية
تتطلب صيانة قارب واحد فقط في درجة حرارة عالية بما يكفي لتبخر
المكون الأقل تطايرًا في السبيكة. الميزة الرئيسية لـ (FE) هي أنها لا تفعل ذلك
تتطلب الحفاظ على ضغوط البخار الحرجة للمكونات ودرجات حرارة
القوارب على عكس التبخر الحراري متعدد المصادر [8].

لا يزال غشاء CdTe الرقيق به العديد من العيوب ، مثل مقاومته العالية للغاية. ل
حل هذه المشكلة ، مما يعني ضمنيًا تقنية فيلم Sb-doped CdTe لتغيير الكهربائية
خصائص [9]. في هذا العمل ، تم ترسيب أفلام CdTe المخدرة من Sb باستخدام مسحوق مخلوط من

TO -AA suet Talal = - VN - Kya lal ayy cll 212 alae