ﺩﺭﺍﺳﺔ ﺗﺄﺛﻳﺭ ﺩﺭﺟﺔ ﺣﺭﺍﺭﺓ ﺍﻟﺗﻠﺩﻳﻥ ﻋﻠﻰ ﺍﻻﻧﺗﻘﺎﻻﺕ ﺍﻻﻟﻛﺗﺭﻭﻧﻳﺔ ﻷﻏﺷﻳﺔ SnO 2 ﺍﻟﻣﺷﻭﺏ ﺑـ ( Ag 2 O ) ﺍﻟﻣﺣﺿﺭﺓ ﺑﻁﺭﻳﻘﺔ ﺍﻟﺗﺭﺳﻳﺏ ﺍﻟﻛﻳﻣﻳﺎﺋﻲ ﺍﻟﺣﺭﺍﺭﻱ
محتوى المقالة الرئيسي
الملخص
ﺤﻀـرت أﻏﺸـﻴﺔ SnO 2 وأﻏﺸـﻴﺔ SnO 2 اﻟﻤﺸـوﺒﺔ ﺒــ Ag 2 O اﻟرﻗﻴﻘـﺔ وﺒﺎﻟﻨﺴـب
اﻟوزﻨﻴـﺔ (%٥ ٬%٣) ﺒﺎﺴـﺘﺨدام طرﻴﻘـﺔ اﻟﺘرﺴـﻴب اﻟﻛﻴﻤﻴــﺎﺌﻲ اﻟﺤـ ارري ﻋﻠـﻰ ﻗواﻋـد ﻤــن
زﺠﺎج اﻟﺒوروﺴﻠﻴﻛﺎت ﻋﻨد درﺠﺔ ﺤ اررة .( ٥٠٠ ºC )
ﺘﻤـت د ارﺴـﺔ ﻨﻤـط ﺤﻴـود اﻷﺸـﻌﺔ اﻟﺴـﻴﻨﻴﺔ ﻟﻸﻏﺸـﻴﺔ اﻟﻤﺤﻀـرة وﺒـدرﺠﺎت ﺤـ اررة
ﺘﻠـــدﻴن .( ٥٤٠ ٬ ٥٨٠ ٬ ٦٢٠) ºC إذ أظﻬـــرت ﻨﺘـــﺎﺌﺞ ﺤﻴـــود اﻻﺸـــﻌﺔ اﻟﺴـــﻴﻨﻴﺔ أن
اﻷﻏﺸﻴﺔ ذات ﺘرﻛﻴب ﺒﻠوري ﻤﺘﻌدد اﻟﺘﺒﻠور.
اﺸﺘﻤﻠت اﻟد ارﺴﺔ ﺘﺄﺜﻴر درﺠﺔ ﺤ اررة اﻟﺘﻠدﻴن ﻋﻠﯩﻔﺠوة اﻟطﺎﻗﺔ اﻟﻤﻤﻨوﻋﺔ ﻟﻼﻨﺘﻘﺎﻻت
اﻟﻼﻟﻛﺘروﻨﻴـﺔ اﻟﻤﺒﺎﺸـرة إذ ﺘﺒـﻴن ان زﻴـﺎدة درﺠـﺔ ﺤـ اررة اﻟﺘﻠـدﻴن ﺘﺴـﺒﺒت ﻓـﻲ ﻨﻘﺼـﺎن ﻓﺠـوة
اﻟطﺎﻗﺔ اﻟﻤﻤﻨوﻋﺔ.
تفاصيل المقالة
كيفية الاقتباس
ﺩﺭﺍﺳﺔ ﺗﺄﺛﻳﺭ ﺩﺭﺟﺔ ﺣﺭﺍﺭﺓ ﺍﻟﺗﻠﺩﻳﻥ ﻋﻠﻰ ﺍﻻﻧﺗﻘﺎﻻﺕ ﺍﻻﻟﻛﺗﺭﻭﻧﻳﺔ ﻷﻏﺷﻳﺔ SnO 2 ﺍﻟﻣﺷﻭﺏ ﺑـ ( Ag 2 O ) ﺍﻟﻣﺣﺿﺭﺓ ﺑﻁﺭﻳﻘﺔ ﺍﻟﺗﺭﺳﻳﺏ ﺍﻟﻛﻳﻣﻳﺎﺋﻲ ﺍﻟﺣﺭﺍﺭﻱ . (2023). مجلة كلية التربية الاساسية, 49, 507-518. https://doi.org/10.35950/cbej.vi49.9811
إصدار
القسم
مقالات للعلوم الانسانية والصرفة
![Creative Commons License](http://i.creativecommons.org/l/by-sa/4.0/88x31.png)
هذا العمل مرخص بموجب Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.
كيفية الاقتباس
ﺩﺭﺍﺳﺔ ﺗﺄﺛﻳﺭ ﺩﺭﺟﺔ ﺣﺭﺍﺭﺓ ﺍﻟﺗﻠﺩﻳﻥ ﻋﻠﻰ ﺍﻻﻧﺗﻘﺎﻻﺕ ﺍﻻﻟﻛﺗﺭﻭﻧﻳﺔ ﻷﻏﺷﻳﺔ SnO 2 ﺍﻟﻣﺷﻭﺏ ﺑـ ( Ag 2 O ) ﺍﻟﻣﺣﺿﺭﺓ ﺑﻁﺭﻳﻘﺔ ﺍﻟﺗﺭﺳﻳﺏ ﺍﻟﻛﻳﻣﻳﺎﺋﻲ ﺍﻟﺣﺭﺍﺭﻱ . (2023). مجلة كلية التربية الاساسية, 49, 507-518. https://doi.org/10.35950/cbej.vi49.9811